當機械硬盤的便攜性、耐震動性在某些領域不能滿足用戶需要時，閃存（Flash Memory）介質就開始發揮其作用。常見閃存介質有Ｕ盤、固態硬盤、ＳＤ卡、ＴＦ卡等。自1998年第一塊Ｕ盤誕生以來，在速度上，閃存介質僅用了15年，就超越了機械硬盤50年走過的歷程，主流固態硬盤連續讀取速度已達到500M/s，而機械硬盤由于其存儲機制的限制，還在200M/s左右徘徊。容量上，閃存介質也正在超越機械硬盤，目前容量最大的閃存介質已達到1TB容量（三星840 EVO系列固態硬盤、金士頓HyperX Predator U盤均達到1TB）。
閃存介質不存在機械部件，所以其耐震動性較好，且故障率較低。閃存發生故障時，通常表現為主控芯片損壞或燒毀，而位于Flash芯片內的數據是安全的。但Flash存儲機制與機械硬盤不同，機械硬盤在物理層采用順序存取，即從0扇區順序往后寫入，那么只要在邏輯上連續的數據，在物理層，也是連續寫入的。而Flash芯片由于存在讀寫壽命，為避免對某一存儲單元反復讀寫引起損壞，閃存介質在主控中采用均衡算法，即保證每個存儲單元都能平均分配寫入次數，如此一來，即使在邏輯層是連續的文件，在Flash芯片的存儲塊中也是“隨機”分布的，這一“隨機”算法由主控芯片決定。由于不同閃存介質采用的主控芯片算法不同，有些芯片甚至采用加密算法，一旦主控損壞，即可能導致Flash內數據無法順利重組。
